IPD65R380E6ATMA1 vs IPD60N10S412ATMA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de IPD65R380E6ATMA1 por Infineon y IPD60N10S412ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | IPD65R380E6ATMA1 | IPD60N10S412ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,65 | $0,82 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS™ E6 | — |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET, Enhancement Mode |
| Technology | Superjunction (CoolMOS™) | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 650 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | 10.6 A | — |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | 380 mΩ | — |
| R_DS(on) test conditions | 3.2 A, 10 V | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | 3.5 V typ | — |
| Gate Charge (Q_G) | 39 nC at 10 V | — |
| Input Capacitance (C_iss) | 710 pF at 100 V | — |
| Power Dissipation (P_D) at T_C | 83 W | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -55 °C to +150 °C | — |
| Encapsulado | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount | PG-TO252-3-313 (DPAK) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant (Green Product) |
| Nivel MSL | 1 | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Part Number | — | IPD60N10S412ATMA1 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25C) | — | 60 A |
| Power Dissipation (PD, TC=25C) | — | 94 W |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | — | 12.2 mOhm |
| Temperatura de unión de funcionamiento | — | -55 C to +175 C |
| Recuento de pines | — | 3 (2 + Tab) |
| Peak Reflow Temperature | — | 260 C |
| AEC-Q101 Qualification | — | Qualified (Automotive Grade) |
| Avalanche Tested | — | 100% Avalanche Tested |
| Sin halógenos | — | Yes (per Infineon definition) |