IPD65R380E6ATMA1 vs IPD60R600C6ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD65R380E6ATMA1 por Infineon y IPD60R600C6ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD65R380E6ATMA1 IPD60R600C6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,65 $0,92
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS™ E6 CoolMOS C6
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology Superjunction (CoolMOS™) CoolMOS C6 (Superjunction)
Drain-Source Voltage (V_DS) 650 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C 10.6 A —
R_DS(on) max at V_GS=10V 380 mΩ —
R_DS(on) test conditions 3.2 A, 10 V —
Gate-Source Voltage (V_GS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 3.5 V typ —
Gate Charge (Q_G) 39 nC at 10 V —
Input Capacitance (C_iss) 710 pF at 100 V —
Power Dissipation (P_D) at T_C 83 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +150 °C -55 °C to +150 °C
Encapsulado PG-TO252-3 (DPAK), surface mount PG-TO252-3 (DPAK)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL 1 1
Part Suffix — ATMA1 (Tape & Reel)
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 7.3 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100°C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 600 mΩ
Total Power Dissipation (Ptot) at TC=25°C — 63 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Número de pines — 3 (Gate, Drain, Source)

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