IPD70N10S312ATMA2 vs IPD33CN10NGATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD70N10S312ATMA2 por Infineon y IPD33CN10NGATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD70N10S312ATMA2 IPD33CN10NGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,69 $0,32
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPD70N10S312ATMA2 —
Technology OptiMOS-T Power-MOSFET (N-Channel) OptiMOS (Trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 70 A 27 A
Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) 125 W —
On-State Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=10V] —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C -55C to +175C (TJ)
Encapsulado PG-TO252-3-11 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Recuento de pines 3 (Gate, Drain, Source) 3 (Gate, Drain, Source)
Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL 1 (unlimited floor life) 1
Avalanche Rated Yes —
FET Type — N-Channel
Power Dissipation (PD, Tc) — 58 W
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: typical Qg]
Lead-Free — Yes

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