IPD70N10S312ATMA2 vs IPD33CN10NGATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPD70N10S312ATMA2 par Infineon et IPD33CN10NGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPD70N10S312ATMA2 - 100V 70A N-Ch OptiMOS Power MOSFET | Infineon
IPD70N10S312ATMA2 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IPD70N10S312ATMA2 | IPD33CN10NGATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,69 | $0,32 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IPD70N10S312ATMA2 | — |
| Technology | OptiMOS-T Power-MOSFET (N-Channel) | OptiMOS (Trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 70 A | 27 A |
| Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) | 125 W | — |
| On-State Resistance RDS(on) | [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +175C | -55C to +175C (TJ) |
| Boîtier | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 3 (Gate, Drain, Source) | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | 1 (unlimited floor life) | 1 |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 58 W |
| On-Resistance RDS(on) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: typical Qg] |
| Lead-Free | — | Yes |