IPD80R600P7ATMA1 vs BSC014NE2LSIATMA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de IPD80R600P7ATMA1 por Infineon y BSC014NE2LSIATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | IPD80R600P7ATMA1 | BSC014NE2LSIATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,92 | $0,48 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 800 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 8 A | [DATA_NEEDED: Tc condition rating] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 22 A | — |
| On-Resistance (RDS(on), max) | 600 mΩ at VGS=10V | — |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | 60 W (Tc) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3 V (typical) | — |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | ±30 V | — |
| Avalanche Energy, Single Pulse (EAS) | 20 mJ | — |
| Avalanche Energy, Repetitive (EAR) | 0.17 mJ | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -55 C to +150 C | — |
| Encapsulado | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CoolMOS P7 super-junction | N-Channel MOSFET (OptiMOS 25V) |
| Polarity | N-Channel | — |
| Nivel MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 33 A |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | — | 100 A |
| On-State Resistance RDS(on) | — | 1.4 mOhm (typ) at VGS = 10 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V] |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 74 W |
| Temperatura de unión de funcionamiento | — | -55 °C to +150 °C |
| Estado RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |