IPD80R600P7ATMA1 vs BSC014NE2LSIATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IPD80R600P7ATMA1 par Infineon et BSC014NE2LSIATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IPD80R600P7ATMA1 | BSC014NE2LSIATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,92 | $0,48 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 800 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 8 A | [DATA_NEEDED: Tc condition rating] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 22 A | — |
| On-Resistance (RDS(on), max) | 600 mΩ at VGS=10V | — |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | 60 W (Tc) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3 V (typical) | — |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | ±30 V | — |
| Avalanche Energy, Single Pulse (EAS) | 20 mJ | — |
| Avalanche Energy, Repetitive (EAR) | 0.17 mJ | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 C to +150 C | — |
| Boîtier | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CoolMOS P7 super-junction | N-Channel MOSFET (OptiMOS 25V) |
| Polarity | N-Channel | — |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 33 A |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | — | 100 A |
| On-State Resistance RDS(on) | — | 1.4 mOhm (typ) at VGS = 10 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V] |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 74 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 °C to +150 °C |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |