IPD90N06S404ATMA2 vs IPD90N04S403ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD90N06S404ATMA2 por Infineon y IPD90N04S403ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IPD90N06S404ATMA2 IPD90N06S404ATMA2 - 60V 90A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD90N06S404ATMA2 - 60V 90A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD90N06S404ATMA2 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD90N06S404ATMA2 IPD90N04S403ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,72 $1,05
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 90 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 150 W —
On-Resistance (RDS(on)) 3.8 mΩ (typ) at VGS = 10 V —
Encapsulado PG-TO252-3-11 (DPAK), 3-pin surface mount PG-TO252-3-313 (DPAK)
Operating Temperature (TJ max) 175 °C —
Peak Reflow Temperature 260 °C (MSL1) —
Avalanche Rating 100% Avalanche Tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Technology OptiMOS Trench MOSFET (OptiMOS-T2)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant (Green Product) —
Nivel MSL MSL1 MSL1 (peak reflow up to 260C)
Polarity Single N-Channel —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS-T2
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 90 A
On-State Resistance (R_DS(on)) — 3.2 mOhm typical at V_GS = 10 V
Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) — 94 W
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Temperatura de unión de funcionamiento — -55C to +175C
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)
Avalanche Tested — 100% avalanche-tested
RoHS Compliance — Compliant (Green Package)

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