IPD90N06S404ATMA2 vs IPD90N04S403ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD90N06S404ATMA2 par Infineon et IPD90N04S403ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IPD90N06S404ATMA2 IPD90N06S404ATMA2 - 60V 90A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD90N06S404ATMA2 - 60V 90A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD90N06S404ATMA2 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD90N06S404ATMA2 IPD90N04S403ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,72 $1,05
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 90 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 150 W —
On-Resistance (RDS(on)) 3.8 mΩ (typ) at VGS = 10 V —
Boîtier PG-TO252-3-11 (DPAK), 3-pin surface mount PG-TO252-3-313 (DPAK)
Operating Temperature (TJ max) 175 °C —
Peak Reflow Temperature 260 °C (MSL1) —
Avalanche Rating 100% Avalanche Tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Technology OptiMOS Trench MOSFET (OptiMOS-T2)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant (Green Product) —
Niveau MSL MSL1 MSL1 (peak reflow up to 260C)
Polarity Single N-Channel —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS-T2
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 90 A
On-State Resistance (R_DS(on)) — 3.2 mOhm typical at V_GS = 10 V
Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) — 94 W
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Température de jonction en fonctionnement — -55C to +175C
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)
Avalanche Tested — 100% avalanche-tested
RoHS Compliance — Compliant (Green Package)

Fiches techniques et ressources

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