IPG16N10S461AATMA1 vs BSC0906NSATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPG16N10S461AATMA1 por Infineon y BSC0906NSATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPG16N10S461AATMA1 BSC0906NSATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,82 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Type Dual N-Channel MOSFET Array —
Technology OptiMOS™ trench OptiMOS
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) 16 A —
On-Resistance R_DS(on) typ. 61 mΩ —
Total Power Dissipation (Ptot) 29 W (T_C = 25°C) —
Configuration 2 N-Channel (Dual, separate) —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ. [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +175 °C -55C to +150C (junction, typical)
Encapsulado PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8, 5x6 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Terminal Count 8 —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Estado RoHS Compliant Compliant
Built-in Body Diode Yes —
Channel Mode Enhancement —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 18 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 63 A
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 30 W
RDS(on) max (typical reference) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V]
Recuento de pines — 8

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