IPG20N04S408ATMA1 vs IPG20N10S4L35ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPG20N04S408ATMA1 por Infineon y IPG20N10S4L35ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IPG20N10S4L35ATMA1 IPG20N10S4L35ATMA1 - 100V Dual N-Ch MOSFET, 35mΩ | Infineon

IPG20N10S4L35ATMA1 - 100V Dual N-Ch MOSFET, 35mΩ | Infineon

IPG20N10S4L35ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IPG20N04S408ATMA1 IPG20N10S4L35ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,78 $0,66
FET Type Dual N-Channel 2 N-Channel (Dual)
Technology OptiMOS (trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (V_DSS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, per channel) 20 A at 25 degC case —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 7.6 mOhm —
Maximum Power Dissipation (P_D) 65 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55 degC to +175 degC —
Encapsulado PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 dual) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL MSL1 (260 degC peak reflow) MSL1 (up to 260°C peak reflow)
AEC-Q101 Qualified Yes —
Estado RoHS Compliant (Green Product) Compliant (Green Product)
Avalanche Rated 100 percent tested 100% Avalanche Tested
Channel Count 2 (independent) —
Operating Mode Enhancement mode, Normal Level —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPG20N10S4L35ATMA1
FET Feature — Logic Level Gate
Drain-to-Source Voltage (V<sub>DSS</sub>) — 100 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at 25°C — 20 A
R<sub>DS(on)</sub> Max — 35 mΩ @ V<sub>GS</sub>=10 V, I<sub>D</sub>=17 A
Gate Threshold (V<sub>GS(th)</sub>) — [DATA_NEEDED: typical Vgs(th) value]
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) — 43 W
Temperatura de funcionamiento — 175°C max junction
Encapsulado / Carcasa — PG-TDSON-8-4 (8-Pin TDSON EP)
Automotive Qualification — AEC-Q101
Series — OptiMOS™, Automotive

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