IPG20N04S408ATMA1 vs IPG20N10S4L35ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPG20N04S408ATMA1 par Infineon et IPG20N10S4L35ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IPG20N10S4L35ATMA1 IPG20N10S4L35ATMA1 - 100V Dual N-Ch MOSFET, 35mΩ | Infineon

IPG20N10S4L35ATMA1 - 100V Dual N-Ch MOSFET, 35mΩ | Infineon

IPG20N10S4L35ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IPG20N04S408ATMA1 IPG20N10S4L35ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,78 $0,66
FET Type Dual N-Channel 2 N-Channel (Dual)
Technology OptiMOS (trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (V_DSS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, per channel) 20 A at 25 degC case —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 7.6 mOhm —
Maximum Power Dissipation (P_D) 65 W —
Température de jonction en fonctionnement -55 degC to +175 degC —
Boîtier PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 dual) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL MSL1 (260 degC peak reflow) MSL1 (up to 260°C peak reflow)
AEC-Q101 Qualified Yes —
Statut RoHS Compliant (Green Product) Compliant (Green Product)
Avalanche Rated 100 percent tested 100% Avalanche Tested
Channel Count 2 (independent) —
Operating Mode Enhancement mode, Normal Level —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPG20N10S4L35ATMA1
FET Feature — Logic Level Gate
Drain-to-Source Voltage (V<sub>DSS</sub>) — 100 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at 25°C — 20 A
R<sub>DS(on)</sub> Max — 35 mΩ @ V<sub>GS</sub>=10 V, I<sub>D</sub>=17 A
Gate Threshold (V<sub>GS(th)</sub>) — [DATA_NEEDED: typical Vgs(th) value]
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) — 43 W
Température de fonctionnement — 175°C max junction
Boîtier / Format — PG-TDSON-8-4 (8-Pin TDSON EP)
Automotive Qualification — AEC-Q101
Series — OptiMOS™, Automotive

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