IPG20N06S2L65ATMA1 vs IPG20N04S408ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPG20N06S2L65ATMA1 por Infineon y IPG20N04S408ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IPG20N06S2L65ATMA1 IPG20N06S2L65ATMA1 - Dual N-Ch 55V 20A MOSFET | Infineon

IPG20N06S2L65ATMA1 - Dual N-Ch 55V 20A MOSFET | Infineon

IPG20N06S2L65ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IPG20N06S2L65ATMA1 IPG20N04S408ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,05 $0,78
FET Type Dual N-Channel, Logic Level Dual N-Channel
Technology OptiMOS-T2 (Planar Trench 55V) OptiMOS (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) 20 A per channel —
RDS(on) at VGS=10V 65 mΩ typical —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.5 V (logic level) —
Total Power Dissipation (Ptot) 43 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55°C to +175°C —
Encapsulado PG-TDSON-8-4 (TDSON-8 EP) PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 dual)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL MSL1 (260°C peak reflow) MSL1 (260 degC peak reflow)
Avalanche Rating 100% Avalanche Tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified —
RoHS Compliance RoHS Compliant (Green Product) —
Packaging Tape & Reel (TMA1 suffix) —
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, per channel) — 20 A at 25 degC case
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 7.6 mOhm
Maximum Power Dissipation (P_D) — 65 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55 degC to +175 degC
AEC-Q101 Qualified — Yes
Estado RoHS — Compliant (Green Product)
Avalanche Rated — 100 percent tested
Channel Count — 2 (independent)
Operating Mode — Enhancement mode, Normal Level

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