IPG20N06S2L65ATMA1 vs IPG20N04S408ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPG20N06S2L65ATMA1 제조: Infineon 및 IPG20N04S408ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

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IPG20N06S2L65ATMA1 IPG20N06S2L65ATMA1 - Dual N-Ch 55V 20A MOSFET | Infineon

IPG20N06S2L65ATMA1 - Dual N-Ch 55V 20A MOSFET | Infineon

IPG20N06S2L65ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IPG20N06S2L65ATMA1 IPG20N04S408ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.05 $0.78
FET Type Dual N-Channel, Logic Level Dual N-Channel
Technology OptiMOS-T2 (Planar Trench 55V) OptiMOS (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) 20 A per channel —
RDS(on) at VGS=10V 65 mΩ typical —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.5 V (logic level) —
Total Power Dissipation (Ptot) 43 W —
동작 온도 범위 -55°C to +175°C —
패키지 PG-TDSON-8-4 (TDSON-8 EP) PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 dual)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
MSL 레벨 MSL1 (260°C peak reflow) MSL1 (260 degC peak reflow)
Avalanche Rating 100% Avalanche Tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified —
RoHS Compliance RoHS Compliant (Green Product) —
Packaging Tape & Reel (TMA1 suffix) —
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, per channel) — 20 A at 25 degC case
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 7.6 mOhm
Maximum Power Dissipation (P_D) — 65 W
동작 접합 온도 — -55 degC to +175 degC
AEC-Q101 Qualified — Yes
RoHS 상태 — Compliant (Green Product)
Avalanche Rated — 100 percent tested
Channel Count — 2 (independent)
Operating Mode — Enhancement mode, Normal Level

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