IPL60R105P7AUMA1 vs IPD80R600P7ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPL60R105P7AUMA1 por Infineon y IPD80R600P7ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPL60R105P7AUMA1 IPD80R600P7ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,82 $0,92
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS P7 —
Technology Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET CoolMOS P7 super-junction
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 800 V
On-Resistance (RDS(on)) max 105 mΩ —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 33 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 22 A
Power Dissipation (Ptot) at Tc 137 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 3.5 V —
Gate Charge (Qg) typ 45 nC —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C -55 C to +150 C
Encapsulado PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad) PG-TO252-3 (DPAK)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Estado RoHS Compliant —
Sin halógenos Yes —
Lead-Free Yes —
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 8 A
On-Resistance (RDS(on), max) — 600 mΩ at VGS=10V
Maximum Power Dissipation (Ptot) — 60 W (Tc)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3 V (typical)
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) — ±30 V
Avalanche Energy, Single Pulse (EAS) — 20 mJ
Avalanche Energy, Repetitive (EAR) — 0.17 mJ
Polarity — N-Channel

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