IPL60R105P7AUMA1 vs IPD80R600P7ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPL60R105P7AUMA1 par Infineon et IPD80R600P7ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPL60R105P7AUMA1 IPD80R600P7ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,82 $0,92
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS P7 —
Technology Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET CoolMOS P7 super-junction
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 800 V
On-Resistance (RDS(on)) max 105 mΩ —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 33 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 22 A
Power Dissipation (Ptot) at Tc 137 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 3.5 V —
Gate Charge (Qg) typ 45 nC —
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C -55 C to +150 C
Boîtier PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad) PG-TO252-3 (DPAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Statut RoHS Compliant —
Sans halogène Yes —
Lead-Free Yes —
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 8 A
On-Resistance (RDS(on), max) — 600 mΩ at VGS=10V
Maximum Power Dissipation (Ptot) — 60 W (Tc)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3 V (typical)
Maximum Gate-Source Voltage (VGS) — ±30 V
Avalanche Energy, Single Pulse (EAS) — 20 mJ
Avalanche Energy, Repetitive (EAR) — 0.17 mJ
Polarity — N-Channel

Fiches techniques et ressources

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