IPL60R105P7AUMA1 vs IPL65R200CFD7AUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPL60R105P7AUMA1 por Infineon y IPL65R200CFD7AUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IPL65R200CFD7AUMA1 IPL65R200CFD7AUMA1 - 650V 14A CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon

IPL65R200CFD7AUMA1 - 650V 14A CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon

IPL65R200CFD7AUMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IPL60R105P7AUMA1 IPL65R200CFD7AUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,82 $1,52
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 CoolMOS CFD7
Technology Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET CoolMOS Superjunction (SJ)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 650 V
On-Resistance (RDS(on)) max 105 mΩ —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 33 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (Ptot) at Tc 137 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 3.5 V —
Gate Charge (Qg) typ 45 nC —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C —
Encapsulado PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad) PG-VSON-4
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Estado RoHS Compliant Compliant
Sin halógenos Yes —
Lead-Free Yes —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 14 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 81 W
On-Resistance (RDS(on)) — 0.2 ohm at VGS=10V, ID=5.2A
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.5 V
Temperatura de funcionamiento — -55C to +150C (TJ)
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: typical Qg value]
Body Diode — Fast-recovery intrinsic
Gate-Source ESD Protection — Yes (integrated)

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