IPP320N20N3GXKSA1 vs IPP075N15N3GXKSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPP320N20N3GXKSA1 por Infineon y IPP075N15N3GXKSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPP320N20N3GXKSA1 IPP075N15N3GXKSA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,36 $1,92
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 OptiMOS 3
Technology N-Channel Trench MOSFET N-Channel MOSFET (OptiMOS 3)
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 34 A —
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V 32 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 4 V —
Total Power Dissipation PD at TC=25°C 136 W —
Encapsulado TO-220-3 (PG-TO220-3) through-hole PG-TO220-3 (TO-220 through-hole)
Tipo de montaje Through Hole Through Hole
Número de pines 3 (3 + Tab) —
Rango de temperatura de funcionamiento -55°C to +175°C [DATA_NEEDED: junction operating temperature range]
Channel Type N-Channel —
Element Configuration Single —
Estado RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Nivel MSL Not applicable (through-hole) —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 300 W
On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) — 7.5 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Lead-Free / RoHS — RoHS Compliant
Ordering Code Suffix — GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant)

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