IPP320N20N3GXKSA1 vs IPP075N15N3GXKSA1 比較

詳細な並列比較: IPP320N20N3GXKSA1 メーカー: Infineon および IPP075N15N3GXKSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPP075N15N3GXKSA1 IPP075N15N3GXKSA1 - 150V 100A OptiMOS 3 Power MOSFET | Infineon

IPP075N15N3GXKSA1 - 150V 100A OptiMOS 3 Power MOSFET | Infineon

IPP075N15N3GXKSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPP320N20N3GXKSA1 IPP075N15N3GXKSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.36 $1.92
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 OptiMOS 3
Technology N-Channel Trench MOSFET N-Channel MOSFET (OptiMOS 3)
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 34 A —
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V 32 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 4 V —
Total Power Dissipation PD at TC=25°C 136 W —
パッケージ TO-220-3 (PG-TO220-3) through-hole PG-TO220-3 (TO-220 through-hole)
実装タイプ Through Hole Through Hole
ピン数 3 (3 + Tab) —
動作温度範囲 -55°C to +175°C [DATA_NEEDED: junction operating temperature range]
Channel Type N-Channel —
Element Configuration Single —
RoHS ステータス Compliant —
Lead-Free Yes —
MSLレベル Not applicable (through-hole) —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 300 W
On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) — 7.5 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Lead-Free / RoHS — RoHS Compliant
Ordering Code Suffix — GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant)

データシート&リソース

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