IPTC017N12NM6ATMA1 vs ISZ230N10NM6ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPTC017N12NM6ATMA1 por Infineon y ISZ230N10NM6ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
ISZ230N10NM6ATMA1 ISZ230N10NM6ATMA1 - 100V 31A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ230N10NM6ATMA1 - 100V 31A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ230N10NM6ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IPTC017N12NM6ATMA1 ISZ230N10NM6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $3,95 $0,71
Technology OptiMOS 6, N-channel trench MOSFET OptiMOS 6 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) 32 A —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 331 A —
On-State Resistance RDS(on) max 1.7 mΩ at VGS = 10 V —
Gate-Source Threshold VGS(th) 2.4 V (typ) —
Total Gate Charge QG 141 nC at VGS = 10 V —
Input Capacitance Ciss 2.4 nF at VDS = 60 V —
Output Capacitance Coss 11000 pF at VDS = 60 V —
Power Dissipation (Ta) 3.8 W 3 W
Power Dissipation (Tc) 395 W 48 W
Encapsulado PG-HDSOP-16 (Surface Mount) PG-TSDSON-8 FL (3.3 x 3.3 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento -55 °C to +175 °C (TJ max) —
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V 10 V
Estado RoHS Compliant Compliant
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (Ta) — 7.7 A
Continuous Drain Current (Tc) — 31 A
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 23 mΩ (typ, ID=10A)
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 3.3 V (typ at 13 µA)
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 °C to +150 °C (junction)
Nivel MSL — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Family — OptiMOS 6 (100V class)

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