IQD005N04NM6ATMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IQD005N04NM6ATMA1 por Infineon y ISC011N04NM7VATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
ISC011N04NM7VATMA1 ISC011N04NM7VATMA1 - 40V 1.1mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

ISC011N04NM7VATMA1 - 40V 1.1mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

ISC011N04NM7VATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IQD005N04NM6ATMA1 ISC011N04NM7VATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,82 $0,41
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 Power-Transistor OptiMOS 7 Power-Transistor
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 58 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 610 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 0.5 mOhm 1.1 mΩ
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Power Dissipation (Tc) 333 W —
Encapsulado PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6 mm) PG-TDSON-8 (source-down)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C -55 °C to +175 °C (TJ)
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET Trench MOSFET, silicon
Estado RoHS Compliant —
Nivel MSL 1 MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 38 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 256 A
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 136 W
Gate Threshold Voltage (Vth) — Up to 3.2 V
Short-Circuit Withstand — Yes (current-limited)
RoHS Compliance — Compliant (per Infineon product page)

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