IQD005N04NM6ATMA1 vs ISC037N12NM6ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IQD005N04NM6ATMA1 por Infineon y ISC037N12NM6ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IQD005N04NM6ATMA1 ISC037N12NM6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,82 $3,62
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 6 Power-Transistor —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 58 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 610 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 0.5 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Power Dissipation (Tc) 333 W —
Encapsulado PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6 mm) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C -55C to +175C (junction)
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET)
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Drain-Source Voltage (Vds) — 120 V
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C — 19.2 A
Pulsed Drain Current (Idm) at Tc — 163 A
On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V — 3.7 mOhm
Power Dissipation at Ta — 3 W
Power Dissipation at Tc — 214 W
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: Qg total]
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)

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