IQD020N10NM5CGATMA1 vs IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IQD020N10NM5CGATMA1 por Infineon y IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - 25V N-Ch 0.29mΩ MOSFET | Infineon

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - 25V N-Ch 0.29mΩ MOSFET | Infineon

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IQD020N10NM5CGATMA1 IQDH29NE2LM5CGSCATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,28 $1,84
Technology OptiMOS™ 5 N-channel trench MOSFET OptiMOS 5 Power-Transistor
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 25 V
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 26 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C [DATA_NEEDED: ID at TC=25°C from datasheet curve] —
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25°C 273 A —
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max 2.0 mΩ (at VGS=10V) —
Power Dissipation (TA) 3 W —
Power Dissipation (TC) 333 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55°C to +175°C —
Encapsulado PG-TTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm²) PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating from datasheet] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Estado RoHS Compliant Compliant
Qualification Industrial grade (Infineon OptiMOS™ 5 family) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (Ta) — 75 A
Continuous Drain Current (Tc) — 789 A
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 278 W
Maximum On-Resistance RDS(on) — 0.29 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2 V (typ)
Recuento de pines — 9
Cooling — Dual-side exposed pad (top + bottom)

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