IQDH35N03LM5SCATMA1 vs IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IQDH35N03LM5SCATMA1 por Infineon y IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IQDH35N03LM5SCATMA1 IQDH35N03LM5SCATMA1 - 30V 700A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQDH35N03LM5SCATMA1 - 30V 700A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQDH35N03LM5SCATMA1 ✓ Activo
Infineon
IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - 25V N-Ch 0.29mΩ MOSFET | Infineon

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - 25V N-Ch 0.29mΩ MOSFET | Infineon

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IQDH35N03LM5SCATMA1 IQDH29NE2LM5CGSCATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,05 $1,84
Manufacturer Infineon Technologies —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 5 (trench, shielded-gate) OptiMOS 5 Power-Transistor
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 66 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 700 A —
On-State Resistance (RDS(on)) max 0.35 mOhm @ VGS=10V —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 278 W —
Encapsulado PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin) PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +175 C —
Nivel MSL 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Estado RoHS Compliant Compliant
Marking IQDH35N03LM5S —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Continuous Drain Current (Ta) — 75 A
Continuous Drain Current (Tc) — 789 A
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 278 W
Maximum On-Resistance RDS(on) — 0.29 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2 V (typ)
Recuento de pines — 9
Cooling — Dual-side exposed pad (top + bottom)

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