IQDH35N03LM5SCATMA1 vs IQDH88N06LM5ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IQDH35N03LM5SCATMA1 por Infineon y IQDH88N06LM5ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IQDH35N03LM5SCATMA1 IQDH35N03LM5SCATMA1 - 30V 700A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQDH35N03LM5SCATMA1 - 30V 700A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQDH35N03LM5SCATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IQDH35N03LM5SCATMA1 IQDH88N06LM5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,05 $3,05
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 5 (trench, shielded-gate) OptiMOS 5 (trench)
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 66 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 700 A —
On-State Resistance (RDS(on)) max 0.35 mOhm @ VGS=10V —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc 278 W 333 W
Encapsulado PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin) PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +175 C [DATA_NEEDED: TJ max]
Nivel MSL 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Estado RoHS Compliant Compliant
Marking IQDH35N03LM5S —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Drain Current (ID) Continuous at Ta — 42 A
Drain Current (ID) Continuous at Tc — 447 A
RDS(on) Max at VGS=10V — 0.86 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Series — OptiMOS 5

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