IQDH35N03LM5SCATMA1 vs IQDH88N06LM5ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IQDH35N03LM5SCATMA1 от Infineon и IQDH88N06LM5ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IQDH35N03LM5SCATMA1 IQDH35N03LM5SCATMA1 - 30V 700A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQDH35N03LM5SCATMA1 - 30V 700A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQDH35N03LM5SCATMA1 ✓ Активен
Infineon
IQDH88N06LM5ATMA1 IQDH88N06LM5ATMA1 - 60V 447A 0.86mOhm N-FET | Infineon OptiMOS 5

IQDH88N06LM5ATMA1 - 60V 447A 0.86mOhm N-FET | Infineon OptiMOS 5

IQDH88N06LM5ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IQDH35N03LM5SCATMA1 IQDH88N06LM5ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,05 $3,05
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Тип транзистора N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 5 (trench, shielded-gate) OptiMOS 5 (trench)
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 66 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 700 A —
On-State Resistance (RDS(on)) max 0.35 mOhm @ VGS=10V —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc 278 W 333 W
Корпус PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin) PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Диапазон рабочих температур -55 C to +175 C [DATA_NEEDED: TJ max]
Уровень MSL 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Статус RoHS Compliant Compliant
Marking IQDH35N03LM5S —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Drain Current (ID) Continuous at Ta — 42 A
Drain Current (ID) Continuous at Tc — 447 A
RDS(on) Max at VGS=10V — 0.86 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Series — OptiMOS 5

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену