IQE008N03LM5SCATMA1 vs IQE036N08NM6CGSCATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IQE008N03LM5SCATMA1 por Infineon y IQE036N08NM6CGSCATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IQE008N03LM5SCATMA1 IQE008N03LM5SCATMA1 - 30V 0.85mΩ N-Ch MOSFET, PG-WHSON-8

IQE008N03LM5SCATMA1 - 30V 0.85mΩ N-Ch MOSFET, PG-WHSON-8

IQE008N03LM5SCATMA1 ✓ Activo
Infineon
IQE036N08NM6CGSCATMA1 IQE036N08NM6CGSCATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE036N08NM6CGSCATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE036N08NM6CGSCATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IQE008N03LM5SCATMA1 IQE036N08NM6CGSCATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,18 $0,88
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Technology Trench MOSFET (N-Channel) Trench MOSFET (OptiMOS 6)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) 252 A —
On-Resistance (RDS(on)) max 0.85 mΩ at VGS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V (typical) —
Gate Drive Voltage 10 V (recommended) —
Encapsulado PG-WHSON-8 (Source-Down) —
Configuration Single N-Channel Source Down, Center Gate, Dual-Side Cooling
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Cooling Architecture Source-Down, dual-side cooling —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +150 °C -55 C to +150 C (junction, per datasheet derating curves)
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Estado RoHS Compliant Compliant
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Series — OptiMOS 6
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA — 16.7 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 118 A
Power Dissipation (PD) at TA — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC — 125 W
Encapsulado / Carcasa — PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm)
Packing — Tape and Reel (suffix ATMA1)
Voltage Rating — 60 V to 100 V category (80 V nominal)

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