IQE008N03LM5SCATMA1 vs IQE036N08NM6CGSCATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IQE008N03LM5SCATMA1 par Infineon et IQE036N08NM6CGSCATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IQE008N03LM5SCATMA1 IQE008N03LM5SCATMA1 - 30V 0.85mΩ N-Ch MOSFET, PG-WHSON-8

IQE008N03LM5SCATMA1 - 30V 0.85mΩ N-Ch MOSFET, PG-WHSON-8

IQE008N03LM5SCATMA1 ✓ Actif
Infineon
IQE036N08NM6CGSCATMA1 IQE036N08NM6CGSCATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE036N08NM6CGSCATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE036N08NM6CGSCATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IQE008N03LM5SCATMA1 IQE036N08NM6CGSCATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,18 $0,88
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Technology Trench MOSFET (N-Channel) Trench MOSFET (OptiMOS 6)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) 252 A —
On-Resistance (RDS(on)) max 0.85 mΩ at VGS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V (typical) —
Gate Drive Voltage 10 V (recommended) —
Boîtier PG-WHSON-8 (Source-Down) —
Configuration Single N-Channel Source Down, Center Gate, Dual-Side Cooling
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Cooling Architecture Source-Down, dual-side cooling —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +150 °C -55 C to +150 C (junction, per datasheet derating curves)
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Statut RoHS Compliant Compliant
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Series — OptiMOS 6
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA — 16.7 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 118 A
Power Dissipation (PD) at TA — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC — 125 W
Boîtier / Format — PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm)
Packing — Tape and Reel (suffix ATMA1)
Voltage Rating — 60 V to 100 V category (80 V nominal)

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis