IQE012N03LM5CGATMA1 vs IQE008N03LM5SCATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IQE012N03LM5CGATMA1 por Infineon y IQE008N03LM5SCATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IQE012N03LM5CGATMA1 IQE012N03LM5CGATMA1 - 30V 224A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IQE012N03LM5CGATMA1 - 30V 224A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IQE012N03LM5CGATMA1 ✓ Activo
Infineon
IQE008N03LM5SCATMA1 IQE008N03LM5SCATMA1 - 30V 0.85mΩ N-Ch MOSFET, PG-WHSON-8

IQE008N03LM5SCATMA1 - 30V 0.85mΩ N-Ch MOSFET, PG-WHSON-8

IQE008N03LM5SCATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IQE012N03LM5CGATMA1 IQE008N03LM5SCATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,38 $1,18
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) 34 A —
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) 224 A —
On-Resistance RDS(on), typ 1.20 mOhm —
Gate-Source Threshold VGS(th) 1.0 V to 2.4 V (typ, OptiMOS 5 logic-level) —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 107 W —
Technology / Process OptiMOS 5 trench —
Encapsulado PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down, center-gate) PG-WHSON-8 (Source-Down)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento -55 C to +150 C (TJ) —
Gate Drive (recommended) 10 V (logic-level compatible) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5
Technology — Trench MOSFET (N-Channel)
Continuous Drain Current (ID) — 252 A
On-Resistance (RDS(on)) max — 0.85 mΩ at VGS = 10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V (typical)
Gate Drive Voltage — 10 V (recommended)
Configuration — Single N-Channel
Cooling Architecture — Source-Down, dual-side cooling
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 °C to +150 °C
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]

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