IQE012N03LM5CGATMA1 vs IQE008N03LM5SCATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IQE012N03LM5CGATMA1 par Infineon et IQE008N03LM5SCATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IQE012N03LM5CGATMA1 IQE012N03LM5CGATMA1 - 30V 224A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IQE012N03LM5CGATMA1 - 30V 224A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IQE012N03LM5CGATMA1 ✓ Actif
Infineon
IQE008N03LM5SCATMA1 IQE008N03LM5SCATMA1 - 30V 0.85mΩ N-Ch MOSFET, PG-WHSON-8

IQE008N03LM5SCATMA1 - 30V 0.85mΩ N-Ch MOSFET, PG-WHSON-8

IQE008N03LM5SCATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IQE012N03LM5CGATMA1 IQE008N03LM5SCATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,38 $1,18
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) 34 A —
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) 224 A —
On-Resistance RDS(on), typ 1.20 mOhm —
Gate-Source Threshold VGS(th) 1.0 V to 2.4 V (typ, OptiMOS 5 logic-level) —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 107 W —
Technology / Process OptiMOS 5 trench —
Boîtier PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down, center-gate) PG-WHSON-8 (Source-Down)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55 C to +150 C (TJ) —
Gate Drive (recommended) 10 V (logic-level compatible) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5
Technology — Trench MOSFET (N-Channel)
Continuous Drain Current (ID) — 252 A
On-Resistance (RDS(on)) max — 0.85 mΩ at VGS = 10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V (typical)
Gate Drive Voltage — 10 V (recommended)
Configuration — Single N-Channel
Cooling Architecture — Source-Down, dual-side cooling
Plage de température de fonctionnement — -55 °C to +150 °C
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]

Fiches techniques et ressources

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