IQE012N03LM5CGSCATMA1 vs IQE012N03LM5CGATMA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de IQE012N03LM5CGSCATMA1 por Infineon y IQE012N03LM5CGATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Infineon
IQE012N03LM5CGSCATMA1 - 30V 1.15mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IQE012N03LM5CGSCATMA1 ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | IQE012N03LM5CGSCATMA1 | IQE012N03LM5CGATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $1,55 | $1,38 |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | OptiMOS 5 (trench MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta | 34 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc | 224 A | — |
| Maximum RDS(on) @ VGS=10V | 1.15 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | 107 W | 107 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V (typ, per Merlin listing) | — |
| Encapsulado | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 × 3.3 mm Source-Down dual-side cooled) | PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down, center-gate) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de unión de funcionamiento | -55 °C to +175 °C | — |
| Nivel MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020, floor life unlimited) | 1 |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 34 A |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | — | 224 A |
| On-Resistance RDS(on), typ | — | 1.20 mOhm |
| Gate-Source Threshold VGS(th) | — | 1.0 V to 2.4 V (typ, OptiMOS 5 logic-level) |
| Technology / Process | — | OptiMOS 5 trench |
| Temperatura de funcionamiento | — | -55 C to +150 C (TJ) |
| Gate Drive (recommended) | — | 10 V (logic-level compatible) |