IQE012N03LM5CGSCATMA1 vs IQE012N03LM5CGATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IQE012N03LM5CGSCATMA1 par Infineon et IQE012N03LM5CGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IQE012N03LM5CGSCATMA1 - 30V 1.15mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IQE012N03LM5CGSCATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IQE012N03LM5CGSCATMA1 | IQE012N03LM5CGATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,55 | $1,38 |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | OptiMOS 5 (trench MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta | 34 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc | 224 A | — |
| Maximum RDS(on) @ VGS=10V | 1.15 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | 107 W | 107 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V (typ, per Merlin listing) | — |
| Boîtier | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 × 3.3 mm Source-Down dual-side cooled) | PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down, center-gate) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 °C to +175 °C | — |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020, floor life unlimited) | 1 |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 34 A |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | — | 224 A |
| On-Resistance RDS(on), typ | — | 1.20 mOhm |
| Gate-Source Threshold VGS(th) | — | 1.0 V to 2.4 V (typ, OptiMOS 5 logic-level) |
| Technology / Process | — | OptiMOS 5 trench |
| Température de fonctionnement | — | -55 C to +150 C (TJ) |
| Gate Drive (recommended) | — | 10 V (logic-level compatible) |