IQE018N06NM6CGATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de IQE018N06NM6CGATMA1 por Infineon y ISC151N08NM6ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | IQE018N06NM6CGATMA1 | ISC151N08NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $1,21 | $0,78 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 6 60V | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 178 A | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Ta) | 25 A | — |
| R_DS(on) max (V_GS=10 V) | 1.8 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | 3.3 V (logic-level compatible) | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 125 W | — |
| Encapsulado | PG-TTFN-9-3 (TOLL/TTFN) | PG-TDSON-8 FL |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -55C to +175C (junction) | — |
| Technology | Trench MOSFET, OptiMOS 6 | OptiMOS 6 |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Tipo de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | — | 9.2 A |
| Corriente de drenador continua (TC=25°C) | — | 37 A |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 48 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 15.1 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.5 V |
| Número de pines | — | 8 |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Temperatura de funcionamiento | — | -55 °C to +175 °C |
| Estado RoHS | — | Compliant |