IQE020N04LM6CGATMA1 vs IQE004NE1LM7CGATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IQE020N04LM6CGATMA1 por Infineon y IQE004NE1LM7CGATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IQE020N04LM6CGATMA1 IQE020N04LM6CGATMA1 - 40V 2.0mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IQE020N04LM6CGATMA1 - 40V 2.0mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IQE020N04LM6CGATMA1 ✓ Activo
Infineon
IQE004NE1LM7CGATMA1 IQE004NE1LM7CGATMA1 - 15V OptiMOS 7 0.45mOhm N-FET | Infineon

IQE004NE1LM7CGATMA1 - 15V OptiMOS 7 0.45mOhm N-FET | Infineon

IQE004NE1LM7CGATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IQE020N04LM6CGATMA1 IQE004NE1LM7CGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,75 $1,06
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 6 OptiMOS 7
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 15 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 25 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 166 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 107 W —
On-State Resistance (RDS(on)) typical @ VGS=10V 2.0 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Gate Charge (Qg) typical [DATA_NEEDED: Qg value] —
Encapsulado PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3, source-down center-gate) PG-TTFN-9-3 (surface mount)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55°C to +150°C —
Technology OptiMOS 6, TrenchFET-class N-Channel Trench Power MOSFET
Configuration Single N-Channel, source-down —
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Continuous Drain Current (ID, TA=25C) — 58 A
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 379 A
Power Dissipation (TA=25C) — 2.1 W
Power Dissipation (TC=25C) — 89 W
On-Resistance RDS(on) max — 0.45 mOhm at VGS=10 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Temperatura de funcionamiento — -55C to +150C (junction)
Packaging — Tape & Reel (CGATMA1 suffix)
Polarization — N-Channel

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