IQE036N08NM6ATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IQE036N08NM6ATMA1 por Infineon y ISC015N06NM5ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IQE036N08NM6ATMA1 ISC015N06NM5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,92 $0,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 OptiMOS 5
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 80 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 16.7 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 118 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
On-Resistance RDS(on) typical 3.6 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 125 W —
Encapsulado PG-TSON-8-5 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down) PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55°C to +150°C (junction, per datasheet) -55 C to +175 C
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse, per datasheet) —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C — 259 A
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 1.5 mOhm
Total Power Dissipation (TA) — 3 W
Total Power Dissipation (TC) — 188 W
Technology — Trench MOSFET (OptiMOS 5)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — 1

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