IQEH68NE2LM7UCGATMA1 vs IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IQEH68NE2LM7UCGATMA1 por Infineon y IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IQEH68NE2LM7UCGATMA1 IQEH68NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-MOSFET, 338A | Infineon

IQEH68NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-MOSFET, 338A | Infineon

IQEH68NE2LM7UCGATMA1 ✓ Activo
Infineon
IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - 25V N-Ch 0.29mΩ MOSFET | Infineon

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - 25V N-Ch 0.29mΩ MOSFET | Infineon

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IQEH68NE2LM7UCGATMA1 IQDH29NE2LM5CGSCATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,35 $1,84
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 7 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) @ Ta 47 A —
Pulsed Drain Current (IDM) @ Tc 338 A —
Power Dissipation (PD) @ Ta 2.5 W —
Power Dissipation (PD) @ Tc 130 W —
Gate Threshold Voltage Type Logic-level (per OptiMOS 7 family) —
On-Resistance Family RDS(on)10 / RDS(on)45 (10V and 4.5V rated) —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +175 °C (typical for OptiMOS 7) —
Encapsulado PG-TTFN-9-3 (surface mount) PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL Level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Estado RoHS Compliant (per distributor listing) Compliant
Technology OptiMOS 7 trench MOSFET OptiMOS 5 Power-Transistor
Packaging Tape & Reel (per ATMA1 suffix) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (Ta) — 75 A
Continuous Drain Current (Tc) — 789 A
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 278 W
Maximum On-Resistance RDS(on) — 0.29 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2 V (typ)
Recuento de pines — 9
Cooling — Dual-side exposed pad (top + bottom)

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