IQEH68NE2LM7UCGATMA1 vs IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IQEH68NE2LM7UCGATMA1 par Infineon et IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IQEH68NE2LM7UCGATMA1 IQEH68NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-MOSFET, 338A | Infineon

IQEH68NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-MOSFET, 338A | Infineon

IQEH68NE2LM7UCGATMA1 ✓ Actif
Infineon
IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - 25V N-Ch 0.29mΩ MOSFET | Infineon

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - 25V N-Ch 0.29mΩ MOSFET | Infineon

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IQEH68NE2LM7UCGATMA1 IQDH29NE2LM5CGSCATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,35 $1,84
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 7 —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) @ Ta 47 A —
Pulsed Drain Current (IDM) @ Tc 338 A —
Power Dissipation (PD) @ Ta 2.5 W —
Power Dissipation (PD) @ Tc 130 W —
Gate Threshold Voltage Type Logic-level (per OptiMOS 7 family) —
On-Resistance Family RDS(on)10 / RDS(on)45 (10V and 4.5V rated) —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C (typical for OptiMOS 7) —
Boîtier PG-TTFN-9-3 (surface mount) PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL Level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Statut RoHS Compliant (per distributor listing) Compliant
Technology OptiMOS 7 trench MOSFET OptiMOS 5 Power-Transistor
Packaging Tape & Reel (per ATMA1 suffix) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (Ta) — 75 A
Continuous Drain Current (Tc) — 789 A
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 278 W
Maximum On-Resistance RDS(on) — 0.29 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2 V (typ)
Nombre de broches — 9
Cooling — Dual-side exposed pad (top + bottom)

Fiches techniques et ressources

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