IR2104SPBF vs IRS2101STRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IR2104SPBF por Infineon y IRS2101STRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IR2104SPBF IRS2101STRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,41 $1,18
Función Half-bridge gate driver —
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) 2
Configuration High and Low Side —
Input Type Logic (non-inverting) —
Maximum Offset / Bootstrap Supply Voltage 600 V —
Gate Drive Supply Range (VCC) 10 V to 20 V —
Output Source Current 130 mA typical —
Output Sink Current 270 mA typical —
Propagation Delay 680 ns typical —
Tiempo de subida 160 ns typical —
Tiempo de bajada 60 ns typical —
Logic Input Compatibility 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/LSTTL 3.3 V / 5 V / 15 V
Undervoltage Lockout Yes (VCC UVLO) Yes (VCC and VBS)
Deadtime Internally set —
Cross-Conduction Prevention Yes —
Rango de temperatura de funcionamiento -40 C to +125 C —
Encapsulado 8-pin SOIC 8-SOIC (SOIC-8)
Estado RoHS Compliant (PBF suffix indicates lead-free) Compliant (PBF suffix)
Driver Type — High-Side, Low-Side (Half-Bridge)
Número de salidas — 2-OUT
Configuración de salida — Non-Inverting
Maximum Offset Voltage — 600 V
Gate Drive Supply (VCC) — 10 V to 20 V
Bootstrap Supply (VBS) — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.29 A
Sink Current (typical) — 0.6 A
VS Transient Range — -5 V to +600 V (logic operational)
Propagation Delay Matching — Matched both channels
dV/dt Immunity — Yes (latch-immune CMOS)
Temperatura de funcionamiento — -40C to +125C
Tipo de montaje — Surface Mount
Packaging — Tape & Reel (TRPBF)
Technology — HVIC + latch-immune CMOS

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