IR2104SPBF vs IRS2101STRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IR2104SPBF por Infineon e IRS2101STRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IR2104SPBF IRS2101STRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,41 $1,18
Função Half-bridge gate driver —
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) 2
Configuration High and Low Side —
Input Type Logic (non-inverting) —
Maximum Offset / Bootstrap Supply Voltage 600 V —
Gate Drive Supply Range (VCC) 10 V to 20 V —
Output Source Current 130 mA typical —
Output Sink Current 270 mA typical —
Propagation Delay 680 ns typical —
Tempo de subida 160 ns typical —
Tempo de descida 60 ns typical —
Logic Input Compatibility 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/LSTTL 3.3 V / 5 V / 15 V
Undervoltage Lockout Yes (VCC UVLO) Yes (VCC and VBS)
Deadtime Internally set —
Cross-Conduction Prevention Yes —
Faixa de temperatura de operação -40 C to +125 C —
Encapsulamento 8-pin SOIC 8-SOIC (SOIC-8)
Status RoHS Compliant (PBF suffix indicates lead-free) Compliant (PBF suffix)
Driver Type — High-Side, Low-Side (Half-Bridge)
Número de saídas — 2-OUT
Configuração de saída — Non-Inverting
Maximum Offset Voltage — 600 V
Gate Drive Supply (VCC) — 10 V to 20 V
Bootstrap Supply (VBS) — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.29 A
Sink Current (typical) — 0.6 A
VS Transient Range — -5 V to +600 V (logic operational)
Propagation Delay Matching — Matched both channels
dV/dt Immunity — Yes (latch-immune CMOS)
Temperatura de operação — -40C to +125C
Tipo de montagem — Surface Mount
Packaging — Tape & Reel (TRPBF)
Technology — HVIC + latch-immune CMOS

Fichas técnicas e recursos

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