IR2109SPBF vs IRS2106STRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IR2109SPBF por Infineon y IRS2106STRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IR2109SPBF IRS2106STRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,05 $0,78
Driver Configuration Half-Bridge High-Side and Low-Side (Half-Bridge)
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) —
High-Side Voltage Tolerance 600 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typical) 0.2 A —
Sink Current (typical) 0.35 A —
Turn-On Propagation Delay 150 ns —
Turn-Off Propagation Delay 150 ns —
Tiempo de subida 200 ns —
Tiempo de bajada 50 ns —
Quiescent VCC Current 1 mA —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS / TTL —
Undervoltage Lockout Yes (VCC) —
Bootstrap Diode Integrated —
Temperatura de unión de funcionamiento -40 C to +150 C —
Encapsulado SOIC-8 8-SOIC (3.90 mm width)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant Compliant
Número de salidas — 2
Logic Type — Non-Inverting
Offset Voltage (High-Side) — 600 V (max)
Gate Drive Supply (VCC) — 10 V to 20 V
Bootstrap Supply (VBS) — Up to 25 V
Source Current (IO+) — 0.29 A (typical)
Sink Current (IO-) — 0.6 A (typical)
Turn-On Propagation Delay (ton) — 200 ns (typical)
Turn-Off Propagation Delay (toff) — 200 ns (typical)
Rise Time (tr) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (tf) — [DATA_NEEDED: fall time]
Deadtime — 50 ns (typical, internal matching)
Shutdown Input (SD) — Yes (active-low, single pin)
UVLO (VCC and VBS) — Yes
Temperatura de funcionamiento — -40C to +125C
Packaging — Tape & Reel
Nivel MSL — 2

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