IR2109SPBF vs IRS2106STRPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IR2109SPBF от Infineon и IRS2106STRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IR2109SPBF IR2109SPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IR2109SPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IR2109SPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IR2109SPBF IRS2106STRPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,05 $0,78
Driver Configuration Half-Bridge High-Side and Low-Side (Half-Bridge)
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) —
High-Side Voltage Tolerance 600 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typical) 0.2 A —
Sink Current (typical) 0.35 A —
Turn-On Propagation Delay 150 ns —
Turn-Off Propagation Delay 150 ns —
Время нарастания 200 ns —
Время спада 50 ns —
Quiescent VCC Current 1 mA —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS / TTL —
Undervoltage Lockout Yes (VCC) —
Bootstrap Diode Integrated —
Рабочая температура перехода -40 C to +150 C —
Корпус SOIC-8 8-SOIC (3.90 mm width)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Статус RoHS Compliant Compliant
Количество выходов — 2
Logic Type — Non-Inverting
Offset Voltage (High-Side) — 600 V (max)
Gate Drive Supply (VCC) — 10 V to 20 V
Bootstrap Supply (VBS) — Up to 25 V
Source Current (IO+) — 0.29 A (typical)
Sink Current (IO-) — 0.6 A (typical)
Turn-On Propagation Delay (ton) — 200 ns (typical)
Turn-Off Propagation Delay (toff) — 200 ns (typical)
Rise Time (tr) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (tf) — [DATA_NEEDED: fall time]
Deadtime — 50 ns (typical, internal matching)
Shutdown Input (SD) — Yes (active-low, single pin)
UVLO (VCC and VBS) — Yes
Рабочая температура — -40C to +125C
Packaging — Tape & Reel
Уровень MSL — 2

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену