IRF1010NPBF-VB vs IRFB4110PBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRF1010NPBF-VB por VBsemi Elec y IRFB4110PBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

VBsemi Elec
IRF1010NPBF-VB IRF1010NPBF-VB - 55V 85A N-Channel Power MOSFET | VBsemi

IRF1010NPBF-VB - 55V 85A N-Channel Power MOSFET | VBsemi

IRF1010NPBF-VB ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IRF1010NPBF-VB IRFB4110PBF
Marca VBsemi Elec Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,25 $1,55
Transistor Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage VDSS 55 V —
Continuous Drain Current ID 85 A (Tc) —
Power Dissipation PD 180 W (Tc) —
On-Resistance RDS(on) 0.014 Ohm (14 mOhm) —
Total Gate Charge Qg 80 nC —
Gate-Source Voltage VGSS +/-20 V —
Operating Mode Enhancement —
Number of Channels 1 —
Encapsulado TO-220AB (Through Hole) TO-220AB (through-hole)
Tipo de montaje Through Hole Through Hole
Configuration Single FET —
Process Technology Planar HEXFET, Advanced Process Technology —
Recommended Switching Frequency Below 100 kHz —
Market Qualification Industrial —
Estado RoHS Compliant (Pb-free suffix) Compliant (Pb-free suffix)
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 120 A (bond-wire limited)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 4.5 mΩ
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V — 3.7 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 370 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55 °C to +175 °C
Technology — HEXFET (planar DMOS)
Lead-Free — Yes (PBF suffix denotes Pb-free)

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