IRF4905PBF vs TJ30S06M3L(T6L1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRF4905PBF por Infineon y TJ30S06M3L(T6L1 por Toshiba. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRF4905PBF TJ30S06M3L(T6L1
Marca Infineon Toshiba
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,95 $0,54
FET Type P-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET) U-MOS (Silicon P-Channel MOS)
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC -74 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD) at TC 200 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V 20 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] —
Total Gate Charge (Qg) 120 nC —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +175 °C (junction) -55°C to +175°C (Tj)
Encapsulado TO-220AB (through-hole) DPAK+ (TO-252-3)
Pin Configuration Gate - Drain - Source (left to right) —
Tipo de montaje Through Hole Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant) —
Nivel MSL 1 (not moisture-sensitive for TO-220) —
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDSS) — -60 V
Gate-Source Voltage (VGSS) — +10 V / -20 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C — -30 A
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C — 68 W
RDS(ON) Max @ VGS=-10 V — 21.8 mΩ
RDS(ON) Typ @ VGS=-10 V — 16.8 mΩ
Gate Threshold Voltage (Vth) — -3.0 V (typ) @ VDS=-1 mA
Drain Leakage (IDSS) Max — -10 µA @ VDS=-60 V
Input Capacitance (Ciss) — 3950 pF
Automotive Qualification — AEC-Q101

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