IRF4905STRLPBF vs IRF4905SPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRF4905STRLPBF por Infineon y IRF4905SPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRF4905STRLPBF IRF4905SPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,95 $1,18
FET Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V -55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -74 A —
Pulsed Drain Current (IDM) -260 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V [DATA_NEEDED: VGS max, typical +/-20V]
On-Resistance RDS(on) at VGS=-10V 20 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 120 nC 120 nC (typical per Mouser listing)
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 170 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C —
Encapsulado D2PAK (TO-263) D2PAK (TO-263) surface mount
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (Planar) HEXFET, planar cell
Nivel MSL 1 —
Estado RoHS Compliant Compliant (PBF suffix indicates Pb-free)
Lead-Free Yes —
Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — -42 A
On-Resistance (RDS(on) max) — 20 mOhm @ VGS = -10V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — -2.0 V to -4.0 V
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 170 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55 C to +150 C
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) — [DATA_NEEDED: RthJC, typical 0.6 C/W]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Qualification — JEDEC standard

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