IRF4905STRLPBF vs IRF4905SPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRF4905STRLPBF от Infineon и IRF4905SPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET, 74A, D2PAK | Infineon

IRF4905STRLPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET, 74A, D2PAK | Infineon

IRF4905STRLPBF ✓ Активен
Infineon
IRF4905SPBF IRF4905SPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET, 42A D2PAK | Infineon

IRF4905SPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET, 42A D2PAK | Infineon

IRF4905SPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRF4905STRLPBF IRF4905SPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,95 $1,18
FET Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V -55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -74 A —
Pulsed Drain Current (IDM) -260 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V [DATA_NEEDED: VGS max, typical +/-20V]
On-Resistance RDS(on) at VGS=-10V 20 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 120 nC 120 nC (typical per Mouser listing)
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 170 W —
Диапазон рабочих температур -55C to +175C —
Корпус D2PAK (TO-263) D2PAK (TO-263) surface mount
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (Planar) HEXFET, planar cell
Уровень MSL 1 —
Статус RoHS Compliant Compliant (PBF suffix indicates Pb-free)
Lead-Free Yes —
Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — -42 A
On-Resistance (RDS(on) max) — 20 mOhm @ VGS = -10V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — -2.0 V to -4.0 V
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 170 W
Рабочая температура перехода — -55 C to +150 C
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) — [DATA_NEEDED: RthJC, typical 0.6 C/W]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Qualification — JEDEC standard

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену