IRF520NPBF vs IRF530NSTRLPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRF520NPBF por Infineon y IRF530NSTRLPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRF520NPBF IRF530NSTRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,66 $0,89
Manufacturer Infineon Technologies —
Series HEXFET —
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 100 V —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc 9.7 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
Gate-to-Source Voltage (V_GS) max ±20 V —
R_DS(on) max at V_GS=10V 200 mOhm —
Total Gate Charge (Q_g) 16.7 nC —
Power Dissipation (P_D) at Tc 48 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C -55C to +175C
Encapsulado TO-220AB (through-hole) —
Tipo de montaje Through Hole Surface Mount
Nivel MSL 1 (unlimited) —
Estado RoHS Compliant (Pb-free) —
Lead-Free Finish Yes (PBF suffix) —
Technology HEXFET (vertical DMOS) HEXFET (Planar Stripe Cell)
Polarity — N-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Drain-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 17 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 90 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 24.7 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 70 W
Power Dissipation (Pd) at Ta=25C — 3.8 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Package Type — D2PAK (TO-263), 3-pin (2 + tab)
Lead-Free / RoHS Status — Lead-Free / RoHS Compliant
Qualification Market — Industrial

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