IRF540NSTRLPBF vs IRFZ44NSTRLPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRF540NSTRLPBF por Infineon y IRFZ44NSTRLPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRF540NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,74 $0,93
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET
Drain-Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 33 A —
Pulsed Drain Current (Idm) 110 A (per datasheet pulse curve) —
On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V 44 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge Qg 47.3 nC (typical) —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 130 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +175 C -55C to +175C
Encapsulado D2PAK (TO-263), surface mount D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (13-inch reel) —
Estado RoHS Compliant (Pb-free) Compliant
Avalanche Energy Rated Yes (HEXFET ruggedized) —
Polarity — N-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 49 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max — 17.5 mOhm at VGS=10V
Total Gate Charge (Qg) — 42 nC
Power Dissipation (TC) — 94 W
Power Dissipation (TA) — 3.8 W
Lead-Free (PBF suffix) — Yes

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