IRF540NSTRLPBF vs IRFZ44NSTRLPBF 비교
다음의 상세 나란히 비교: IRF540NSTRLPBF 제조: Infineon 및 IRFZ44NSTRLPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IRF540NSTRLPBF | IRFZ44NSTRLPBF |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.74 | $0.93 |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | HEXFET |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | 33 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) | 110 A (per datasheet pulse curve) | — |
| On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V | 44 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) | 2.0 V to 4.0 V | — |
| Total Gate Charge Qg | 47.3 nC (typical) | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 130 W | — |
| 동작 온도 범위 | -55 C to +175 C | -55C to +175C |
| 패키지 | D2PAK (TO-263), surface mount | D2PAK (TO-263) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel (13-inch reel) | — |
| RoHS 상태 | Compliant (Pb-free) | Compliant |
| Avalanche Energy Rated | Yes (HEXFET ruggedized) | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| MOSFET Operating Mode | — | Enhancement |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 49 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Drain-Source On-Resistance RDS(on) max | — | 17.5 mOhm at VGS=10V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 42 nC |
| Power Dissipation (TC) | — | 94 W |
| Power Dissipation (TA) | — | 3.8 W |
| Lead-Free (PBF suffix) | — | Yes |