IRF7205TRPBF vs IRFR9024NTRLPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRF7205TRPBF por Infineon y IRFR9024NTRLPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IRFR9024NTRLPBF IRFR9024NTRLPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR9024NTRLPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR9024NTRLPBF ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IRF7205TRPBF IRFR9024NTRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,18 $0,32
FET Type P-Channel MOSFET —
Technology IR HEXFET (4th generation) HEXFET (Generation 5)
Drain-to-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C -4.6 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V 70 mΩ —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-4.5V 130 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) -1.0 V to -3.0 V —
Total Gate Charge Qg 27 nC —
Disipación de potencia (TC=25°C) 2.5 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55 °C to +150 °C —
Encapsulado SO-8 (8-SO) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
RoHS / Lead-Free Lead-Free (PBF suffix), RoHS compliant —
Packaging Tape & Reel (TR suffix) —
Polarity — P-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Drain-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -11 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V — 175 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 38 W
Gate Charge (Qg) typical — 12.7 nC
Package Type — TO-252AA (DPAK)
Recuento de pines — 3 (Drain, Gate, Source + Tab)
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +175C
Lead-Free / RoHS — Yes (LPBF suffix)
Reel Orientation — Left (TRL suffix)

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización