IRF7205TRPBF vs IRFR9024NTRLPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF7205TRPBF por Infineon e IRFR9024NTRLPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF7205TRPBF IRFR9024NTRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,18 $0,32
FET Type P-Channel MOSFET —
Technology IR HEXFET (4th generation) HEXFET (Generation 5)
Drain-to-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C -4.6 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V 70 mΩ —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-4.5V 130 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) -1.0 V to -3.0 V —
Total Gate Charge Qg 27 nC —
Dissipação de potência (TC=25°C) 2.5 W —
Temperatura de junção de operação -55 °C to +150 °C —
Encapsulamento SO-8 (8-SO) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
RoHS / Lead-Free Lead-Free (PBF suffix), RoHS compliant —
Packaging Tape & Reel (TR suffix) —
Polarity — P-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Drain-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -11 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V — 175 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 38 W
Gate Charge (Qg) typical — 12.7 nC
Package Type — TO-252AA (DPAK)
Contagem de pinos — 3 (Drain, Gate, Source + Tab)
Faixa de temperatura de operação — -55C to +175C
Lead-Free / RoHS — Yes (LPBF suffix)
Reel Orientation — Left (TRL suffix)

Fichas técnicas e recursos

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