IRF7469TRPBF vs IRFH7084TRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRF7469TRPBF por Infineon y IRFH7084TRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRF7469TRPBF IRFH7084TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,37 $0,45
FET Type N-Channel N-Channel
Technology IR MOSFET™ (HEXFET) StrongIRFET™ (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (Vdss) 40 V —
Continuous Drain Current (Id) at TA=25°C 9 A —
Rds(on) Max at Vgs=10V 17 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 15 nC —
Gate-Source Voltage (Vgs) Max ±20 V —
Power Dissipation (Pd) at TA=25°C 2.5 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55°C to +150°C (Tj) -55°C to +175°C (TJ)
Encapsulado 8-SO (SOIC-8) 8-PQFN 5x6 mm (SuperSO8)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL 1 (unlimited) 1
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Sin halógenos Yes —
Channel Mode Enhancement —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Reverse Recovery Charge (Qrr) [DATA_NEEDED: Qrr] —
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C, package-limited) — 100 A
Silicon-Limited Drain Current — 265 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 156 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.25 mΩ
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 0.95 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.7 V to 2.7 V
Input Capacitance (Ciss) max @ 25V — 6560 pF
Sin halógenos — Compliant
RthJC max — 0.96 °C/W (per datasheet)

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